Infineon CoolMOS™ CE N-Channel MOSFET, 8.4 A, 600 V, 3-Pin IPAK IPS60R800CEAKMA1

RS tilauskoodi: 214-9103Tuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: IPS60R800CEAKMA1
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

8.4 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Series

CoolMOS™ CE

Package Type

IPAK (TO-251)

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.8 O

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 20,28

€ 0,811 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 25,45

€ 1,018 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Infineon CoolMOS™ CE N-Channel MOSFET, 8.4 A, 600 V, 3-Pin IPAK IPS60R800CEAKMA1
Valitse pakkaustyyppi

€ 20,28

€ 0,811 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 25,45

€ 1,018 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Infineon CoolMOS™ CE N-Channel MOSFET, 8.4 A, 600 V, 3-Pin IPAK IPS60R800CEAKMA1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
25 - 100€ 0,811€ 20,28
125 - 225€ 0,632€ 15,80
250 - 600€ 0,592€ 14,80
625 - 1225€ 0,552€ 13,80
1250+€ 0,511€ 12,78

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

8.4 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Series

CoolMOS™ CE

Package Type

IPAK (TO-251)

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.8 O

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja