Infineon OptiMOS™ 5 N-Channel MOSFET, 300 A, 60 V, 8-Pin HSOF-8 IPT007N06NATMA1
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
300 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Series
OptiMOS™ 5
Package Type
HSOF-8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
1 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
375 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
10.1mm
Length
10.58mm
Typical Gate Charge @ Vgs
216 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Forward Diode Voltage
1V
Height
2.4mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
Infineon OptiMOS™5 Power MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 8 600,00
€ 4,30 1 kpl (2000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 10 793,00
€ 5,396 1 kpl (2000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
2000
€ 8 600,00
€ 4,30 1 kpl (2000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 10 793,00
€ 5,396 1 kpl (2000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
2000
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
300 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Series
OptiMOS™ 5
Package Type
HSOF-8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
1 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
375 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
10.1mm
Length
10.58mm
Typical Gate Charge @ Vgs
216 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Forward Diode Voltage
1V
Height
2.4mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
Infineon OptiMOS™5 Power MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.