N-Channel MOSFET, 300 A, 80 V, 8 + Tab-Pin HSOF Infineon IPT012N08N5ATMA1
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
300 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Package Type
HSOF
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8 + Tab
Maximum Drain Source Resistance
1.7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.2V
Maximum Power Dissipation
375 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
10.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
178 nC @ 10 V
Width
10.58mm
Number of Elements per Chip
1
Height
2.4mm
Series
IPT012N08N5
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 4,65
1 kpl (2000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 5,766
1 kpl (2000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
2000
€ 4,65
1 kpl (2000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 5,766
1 kpl (2000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
2000
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
300 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Package Type
HSOF
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8 + Tab
Maximum Drain Source Resistance
1.7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.2V
Maximum Power Dissipation
375 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
10.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
178 nC @ 10 V
Width
10.58mm
Number of Elements per Chip
1
Height
2.4mm
Series
IPT012N08N5
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.