N-Channel MOSFET, 300 A, 100 V, 8-Pin HSOF-8 Infineon IPT015N10N5ATMA1

RS tilauskoodi: 171-1991Tuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: IPT015N10N5ATMA1
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

300 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Series

IPT015N10N5

Package Type

HSOF-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

2 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.8V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.2V

Maximum Power Dissipation

375 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

10.1mm

Typical Gate Charge @ Vgs

169 nC @ 10 V

Width

10.58mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Height

2.4mm

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 3,35

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 4,154

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 300 A, 100 V, 8-Pin HSOF-8 Infineon IPT015N10N5ATMA1
Valitse pakkaustyyppi

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 5.

Tuotanto -

Pakkauskoko 5.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

5

Pakkauskoko 5
5€ 16,75
10€ 33,50
15€ 50,25
20€ 67,00
25€ 83,75
30€ 100,50
35€ 117,25
40€ 134,00
45€ 150,75
50€ 167,50
55€ 184,25
60€ 201,00
65€ 217,75
70€ 234,50
75€ 251,25

€ 3,35

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 4,154

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 300 A, 100 V, 8-Pin HSOF-8 Infineon IPT015N10N5ATMA1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 5.

Tuotanto -

Pakkauskoko 5.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

5

Pakkauskoko 5
5€ 16,75
10€ 33,50
15€ 50,25
20€ 67,00
25€ 83,75
30€ 100,50
35€ 117,25
40€ 134,00
45€ 150,75
50€ 167,50
55€ 184,25
60€ 201,00
65€ 217,75
70€ 234,50
75€ 251,25

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

300 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Series

IPT015N10N5

Package Type

HSOF-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

2 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.8V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.2V

Maximum Power Dissipation

375 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

10.1mm

Typical Gate Charge @ Vgs

169 nC @ 10 V

Width

10.58mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Height

2.4mm

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja