N-Channel MOSFET, 60 A, 650 V, 3-Pin TO-247 Infineon IPW60R045CPFKSA1
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
60 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Series
CoolMOS CP
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
45 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
431 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
5.21mm
Transistor Material
Si
Typical Gate Charge @ Vgs
150 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
16.13mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
21.1mm
Tuotetiedot
Infineon CoolMOS™CP Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 19,60
€ 19,60 kpl (ilman ALV)
€ 24,60
€ 24,60 kpl (Sis ALV:n)
Standardi
1
€ 19,60
€ 19,60 kpl (ilman ALV)
€ 24,60
€ 24,60 kpl (Sis ALV:n)
Standardi
1
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta |
|---|---|
| 1 - 1 | € 19,60 |
| 2 - 4 | € 19,00 |
| 5 - 9 | € 18,60 |
| 10 - 14 | € 18,00 |
| 15+ | € 17,60 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
60 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Series
CoolMOS CP
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
45 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
431 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
5.21mm
Transistor Material
Si
Typical Gate Charge @ Vgs
150 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
16.13mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
21.1mm
Tuotetiedot
Infineon CoolMOS™CP Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.