Infineon N-Channel MOSFET, 38 A, 650 V, 3-Pin TO-247 IPW60R099C6FKSA1
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
38 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Series
CoolMOS™ C6
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
99 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
278 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Width
5.21mm
Length
16.13mm
Typical Gate Charge @ Vgs
119 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
21.1mm
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
Infineon CoolMOS™C6/C7 Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 177,00
€ 5,90 1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 222,14
€ 7,404 1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)
30
€ 177,00
€ 5,90 1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 222,14
€ 7,404 1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)
30
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
38 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Series
CoolMOS™ C6
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
99 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
278 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Width
5.21mm
Length
16.13mm
Typical Gate Charge @ Vgs
119 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
21.1mm
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
Infineon CoolMOS™C6/C7 Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.