Infineon N-Channel MOSFET, 13 A, 700 V, 3-Pin TO-247 IPW65R190C7XKSA1
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
13 A
Maximum Drain Source Voltage
700 V
Series
CoolMOS™ C7
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
190 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
72 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Width
21.1mm
Length
16.13mm
Typical Gate Charge @ Vgs
23 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
0.9V
Height
5.21mm
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
Infineon CoolMOS™C6/C7 Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 97,50
€ 3,25 1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 122,36
€ 4,079 1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)
30
€ 97,50
€ 3,25 1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 122,36
€ 4,079 1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)
30
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Putki |
|---|---|---|
| 30 - 30 | € 3,25 | € 97,50 |
| 60 - 120 | € 3,05 | € 91,50 |
| 150 - 270 | € 2,95 | € 88,50 |
| 300 - 570 | € 2,80 | € 84,00 |
| 600+ | € 2,60 | € 78,00 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
13 A
Maximum Drain Source Voltage
700 V
Series
CoolMOS™ C7
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
190 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
72 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Width
21.1mm
Length
16.13mm
Typical Gate Charge @ Vgs
23 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
0.9V
Height
5.21mm
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
Infineon CoolMOS™C6/C7 Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.