Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 94 A, 55 V, 3-Pin TO-220AB IRF1010ZPBF
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
94 A
Maximum Drain Source Voltage
55 V
Series
HEXFET
Package Type
TO-220AB
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
7.5 mO
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
140 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
4.69mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Typical Gate Charge @ Vgs
63 nC @ 10 V
Length
10.54mm
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
8.77mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Tuotetiedot
Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 10,25
€ 2,05 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 12,86
€ 2,573 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
5
€ 10,25
€ 2,05 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 12,86
€ 2,573 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
5
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 2,05 | € 10,25 |
| 50 - 120 | € 1,90 | € 9,50 |
| 125 - 245 | € 1,75 | € 8,75 |
| 250 - 495 | € 1,65 | € 8,25 |
| 500+ | € 1,55 | € 7,75 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
94 A
Maximum Drain Source Voltage
55 V
Series
HEXFET
Package Type
TO-220AB
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
7.5 mO
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
140 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
4.69mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Typical Gate Charge @ Vgs
63 nC @ 10 V
Length
10.54mm
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
8.77mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Tuotetiedot
Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.