N-Channel MOSFET, 130 A, 75 V, 3-Pin TO-220AB Infineon IRF1407PBF
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
130 A
Maximum Drain Source Voltage
75 V
Series
IRF1407PbF
Package Type
TO-220AB
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
7.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
330 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Length
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
160 nC @ 10 V
Width
4.83mm
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Number of Elements per Chip
1
Height
16.51mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 2,75
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 3,41
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
5
€ 2,75
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 3,41
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
5
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 2,75 | € 13,75 |
| 25 - 45 | € 2,45 | € 12,25 |
| 50 - 120 | € 2,30 | € 11,50 |
| 125 - 245 | € 2,15 | € 10,75 |
| 250+ | € 2,00 | € 10,00 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
130 A
Maximum Drain Source Voltage
75 V
Series
IRF1407PbF
Package Type
TO-220AB
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
7.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
330 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Length
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
160 nC @ 10 V
Width
4.83mm
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Number of Elements per Chip
1
Height
16.51mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.