Infineon HEXFET Dual Silicon N-Channel MOSFET, 140 A, 75 V, 3-Pin TO-220AB IRF3808PBF

RS tilauskoodi: 262-6729PTuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: IRF3808PBF
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

140 A

Maximum Drain Source Voltage

75 V

Series

HEXFET

Package Type

TO-220AB

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

Silicon

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 67,50

€ 2,70 kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)

€ 84,71

€ 3,388 kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)

Infineon HEXFET Dual Silicon N-Channel MOSFET, 140 A, 75 V, 3-Pin TO-220AB IRF3808PBF
Valitse pakkaustyyppi

€ 67,50

€ 2,70 kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)

€ 84,71

€ 3,388 kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)

Infineon HEXFET Dual Silicon N-Channel MOSFET, 140 A, 75 V, 3-Pin TO-220AB IRF3808PBF
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhintaPer Putki
25 - 45€ 2,70€ 13,50
50 - 120€ 2,50€ 12,50
125 - 245€ 2,30€ 11,50
250+€ 2,15€ 10,75

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

140 A

Maximum Drain Source Voltage

75 V

Series

HEXFET

Package Type

TO-220AB

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

Silicon

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja