Infineon N-Channel MOSFET, 35 A, 150 V DirectFET ISOMETRIC IRF6643TRPBF
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
35 A
Maximum Drain Source Voltage
150 V
Series
DirectFET, HEXFET
Package Type
DirectFET ISOMETRIC
Mounting Type
Surface Mount
Maximum Drain Source Resistance
34.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
89 W
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
5.05mm
Number of Elements per Chip
1
Length
6.35mm
Typical Gate Charge @ Vgs
39 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
0.59mm
Minimum Operating Temperature
-40 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Tuotetiedot
Digital Audio MOSFET, Infineon
Class D amplifiers are fast becoming the preferred solution for professional and home audio and video systems. Infineon offers a comprehensive range that simplify high-efficiency Class D amplifier design.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 2,00
€ 0,998 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 2,51
€ 1,252 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
2
€ 2,00
€ 0,998 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 2,51
€ 1,252 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
2
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
35 A
Maximum Drain Source Voltage
150 V
Series
DirectFET, HEXFET
Package Type
DirectFET ISOMETRIC
Mounting Type
Surface Mount
Maximum Drain Source Resistance
34.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
89 W
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
5.05mm
Number of Elements per Chip
1
Length
6.35mm
Typical Gate Charge @ Vgs
39 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
0.59mm
Minimum Operating Temperature
-40 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Tuotetiedot
Digital Audio MOSFET, Infineon
Class D amplifiers are fast becoming the preferred solution for professional and home audio and video systems. Infineon offers a comprehensive range that simplify high-efficiency Class D amplifier design.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.