Dual N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 37 A, 25 V DirectFET ISOMETRIC Infineon IRF6715MTRPBF

RS tilauskoodi: 220-7475Tuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: IRF6715MTRPBF
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

37 A

Maximum Drain Source Voltage

25 V

Package Type

DirectFET ISOMETRIC

Mounting Type

Surface Mount

Maximum Drain Source Resistance

0.0013 O

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

20V

Number of Elements per Chip

2

Series

HEXFET

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 2,10

1 kpl (4800 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 2,604

1 kpl (4800 kpl/kela) (Sis ALV:n)

Dual N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 37 A, 25 V DirectFET ISOMETRIC Infineon IRF6715MTRPBF

€ 2,10

1 kpl (4800 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 2,604

1 kpl (4800 kpl/kela) (Sis ALV:n)

Dual N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 37 A, 25 V DirectFET ISOMETRIC Infineon IRF6715MTRPBF
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

37 A

Maximum Drain Source Voltage

25 V

Package Type

DirectFET ISOMETRIC

Mounting Type

Surface Mount

Maximum Drain Source Resistance

0.0013 O

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

20V

Number of Elements per Chip

2

Series

HEXFET

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja