N-Channel MOSFET, 19 A, 200 V, 7-Pin DirectFET ISOMETRIC Infineon IRF6785MTRPBF
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
19 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Series
HEXFET
Package Type
DirectFET ISOMETRIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
7
Maximum Drain Source Resistance
0.1 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 1,65
1 kpl (4800 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 2,046
1 kpl (4800 kpl/kela) (Sis ALV:n)
4800
€ 1,65
1 kpl (4800 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 2,046
1 kpl (4800 kpl/kela) (Sis ALV:n)
4800
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
19 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Series
HEXFET
Package Type
DirectFET ISOMETRIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
7
Maximum Drain Source Resistance
0.1 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.