N-Channel MOSFET, 6.6 A, 20 V, 8-Pin SO-8 Infineon IRF7311TRPBF
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
6.6 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Series
HEXFET
Package Type
SO-8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
0.029 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.7V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,519
1 kpl (4000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,644
1 kpl (4000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
4000
€ 0,519
1 kpl (4000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,644
1 kpl (4000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
4000
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
6.6 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Series
HEXFET
Package Type
SO-8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
0.029 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.7V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.