N/P-Channel-Channel MOSFET, 3.4 A, 4.7 A, 55 V Depletion, 8-Pin SO-8 Infineon IRF7343TRPBF

RS tilauskoodi: 170-2265Tuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: IRF7343TRPBF
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N, P

Maximum Continuous Drain Current

3.4 A, 4.7 A

Maximum Drain Source Voltage

55 V

Package Type

SO-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

0.065 Ω, 0.17 Ω

Channel Mode

Depletion

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

2 W

Maximum Gate Source Voltage

20 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

2.3 nC @ 10 V, 24 nC @ 10 V

Width

4mm

Number of Elements per Chip

1

Forward Diode Voltage

1.2V

Height

1.5mm

Series

IRF7343PbF

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,447

1 kpl (4000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 0,554

1 kpl (4000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

N/P-Channel-Channel MOSFET, 3.4 A, 4.7 A, 55 V Depletion, 8-Pin SO-8 Infineon IRF7343TRPBF

€ 0,447

1 kpl (4000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 0,554

1 kpl (4000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

N/P-Channel-Channel MOSFET, 3.4 A, 4.7 A, 55 V Depletion, 8-Pin SO-8 Infineon IRF7343TRPBF
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N, P

Maximum Continuous Drain Current

3.4 A, 4.7 A

Maximum Drain Source Voltage

55 V

Package Type

SO-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

0.065 Ω, 0.17 Ω

Channel Mode

Depletion

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

2 W

Maximum Gate Source Voltage

20 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

2.3 nC @ 10 V, 24 nC @ 10 V

Width

4mm

Number of Elements per Chip

1

Forward Diode Voltage

1.2V

Height

1.5mm

Series

IRF7343PbF

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja