Dual P-Channel MOSFET, 8 A, 30 V, 8-Pin SOIC Infineon IRF9362PBF

RS tilauskoodi: 737-7307PTuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: IRF9362PBF
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

8 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

SOIC

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

32 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.4V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.3V

Maximum Power Dissipation

2 W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

26 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

2

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5mm

Width

4mm

Transistor Material

Si

Series

HEXFET

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.5mm

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut
Dual P-Channel MOSFET, 8 A, 30 V, 8-Pin SOIC Infineon IRF9362TRPBF
€ 0,909kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

P.O.A.

Dual P-Channel MOSFET, 8 A, 30 V, 8-Pin SOIC Infineon IRF9362PBF
Valitse pakkaustyyppi

P.O.A.

Dual P-Channel MOSFET, 8 A, 30 V, 8-Pin SOIC Infineon IRF9362PBF
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut
Dual P-Channel MOSFET, 8 A, 30 V, 8-Pin SOIC Infineon IRF9362TRPBF
€ 0,909kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

8 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

SOIC

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

32 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.4V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.3V

Maximum Power Dissipation

2 W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

26 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

2

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5mm

Width

4mm

Transistor Material

Si

Series

HEXFET

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.5mm

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut
Dual P-Channel MOSFET, 8 A, 30 V, 8-Pin SOIC Infineon IRF9362TRPBF
€ 0,909kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)