Dual N-Channel MOSFET, 12 A, 20 V, 8-Pin SO-8 Infineon IRF9910TRPBF

RS tilauskoodi: 162-3296Tuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: IRF9910TRPBF
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

12 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

SO-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

18.3 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.55V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.65V

Maximum Power Dissipation

2 W

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Width

4mm

Number of Elements per Chip

2

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

15 nC @ 4.5 V

Height

1.5mm

Series

IRF9910

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1V

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,711

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,882

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Dual N-Channel MOSFET, 12 A, 20 V, 8-Pin SO-8 Infineon IRF9910TRPBF
Valitse pakkaustyyppi

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 10.

Tuotanto -

Pakkauskoko 10.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

10

Pakkauskoko 10
10€ 7,11
20€ 14,22
30€ 21,33
40€ 28,44
50€ 35,55
60€ 42,66
70€ 49,77
80€ 56,88
90€ 63,99
100€ 56,20
110€ 61,82
120€ 67,44
130€ 73,06
140€ 78,68
150€ 84,30

€ 0,711

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,882

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Dual N-Channel MOSFET, 12 A, 20 V, 8-Pin SO-8 Infineon IRF9910TRPBF
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 10.

Tuotanto -

Pakkauskoko 10.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

10

Pakkauskoko 10
10€ 7,11
20€ 14,22
30€ 21,33
40€ 28,44
50€ 35,55
60€ 42,66
70€ 49,77
80€ 56,88
90€ 63,99
100€ 56,20
110€ 61,82
120€ 67,44
130€ 73,06
140€ 78,68
150€ 84,30

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
10 - 90€ 0,711€ 7,11
100 - 240€ 0,562€ 5,62
250 - 490€ 0,526€ 5,26
500 - 990€ 0,49€ 4,90
1000+€ 0,455€ 4,55

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

12 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

SO-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

18.3 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.55V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.65V

Maximum Power Dissipation

2 W

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Width

4mm

Number of Elements per Chip

2

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

15 nC @ 4.5 V

Height

1.5mm

Series

IRF9910

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1V

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja