Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 210 A, 75 V, 3-Pin TO-220AB IRFB3077PBF
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
210 A
Maximum Drain Source Voltage
75 V
Series
HEXFET
Package Type
TO-220AB
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
3.3 m?
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
370 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
160 nC @ 10 V
Width
4.82mm
Number of Elements per Chip
1
Length
10.66mm
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Transistor Material
Si
Height
9.02mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Tuotetiedot
Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 32,50
€ 3,25 kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)
€ 40,79
€ 4,08 kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Putki)
10
€ 32,50
€ 3,25 kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)
€ 40,79
€ 4,08 kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Putki)
10
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta |
|---|---|
| 10 - 24 | € 3,25 |
| 25 - 49 | € 3,15 |
| 50 - 99 | € 2,95 |
| 100+ | € 2,75 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
210 A
Maximum Drain Source Voltage
75 V
Series
HEXFET
Package Type
TO-220AB
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
3.3 m?
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
370 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
160 nC @ 10 V
Width
4.82mm
Number of Elements per Chip
1
Length
10.66mm
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Transistor Material
Si
Height
9.02mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Tuotetiedot
Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.