N-Channel MOSFET, 195 A, 40 V, 3-Pin TO-220AB Infineon IRFB7430PBF

RS tilauskoodi: 776-9172PTuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: IRFB7430PBF
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

195 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

TO-220AB

Series

StrongIRFET

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

1.3 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.9V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.2V

Maximum Power Dissipation

375 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

10.67mm

Typical Gate Charge @ Vgs

460 nC @ 10 V

Width

4.83mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Height

16.51mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

StrongIRFET™ Power MOSFET, Infineon

Infineon's StrongIRFET family is optimized for low RDS(on) and high-current capability. This portfolio offers improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness ideal for industrial low frequency applications including motor drives, power tools, inverters and battery management where performance and robustness are essential.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 1,80

kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)

€ 2,26

kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 195 A, 40 V, 3-Pin TO-220AB Infineon IRFB7430PBF
Valitse pakkaustyyppi

Tuotantopakkaus (Putki)

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 1.

Tuotanto -

Pakkauskoko 1.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

1

Pakkauskoko 1
1€ 1,80
2€ 3,60
3€ 5,40
4€ 7,20
5€ 9,00
6€ 10,80
7€ 12,60
8€ 14,40
9€ 16,20
10€ 18,00
11€ 19,80
12€ 21,60
13€ 23,40
14€ 25,20
15€ 27,00

€ 1,80

kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)

€ 2,26

kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 195 A, 40 V, 3-Pin TO-220AB Infineon IRFB7430PBF
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Tuotantopakkaus (Putki)

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 1.

Tuotanto -

Pakkauskoko 1.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

1

Pakkauskoko 1
1€ 1,80
2€ 3,60
3€ 5,40
4€ 7,20
5€ 9,00
6€ 10,80
7€ 12,60
8€ 14,40
9€ 16,20
10€ 18,00
11€ 19,80
12€ 21,60
13€ 23,40
14€ 25,20
15€ 27,00

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

195 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

TO-220AB

Series

StrongIRFET

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

1.3 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.9V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.2V

Maximum Power Dissipation

375 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

10.67mm

Typical Gate Charge @ Vgs

460 nC @ 10 V

Width

4.83mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Height

16.51mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

StrongIRFET™ Power MOSFET, Infineon

Infineon's StrongIRFET family is optimized for low RDS(on) and high-current capability. This portfolio offers improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness ideal for industrial low frequency applications including motor drives, power tools, inverters and battery management where performance and robustness are essential.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja