Infineon N-Channel MOSFET, 100 A, 25 V, 8-Pin PQFN 5 x 6 IRFH5250DTRPBF
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
25 V
Series
HEXFET
Package Type
PQFN 5 x 6
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
2.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.35V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.35V
Maximum Power Dissipation
156 W
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
5mm
Length
6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
83 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1V
Height
0.85mm
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
N-Channel Power MOSFET 12V to 25V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 6 000,00
€ 1,50 1 kpl (4000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 7 530,00
€ 1,882 1 kpl (4000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
4000
€ 6 000,00
€ 1,50 1 kpl (4000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 7 530,00
€ 1,882 1 kpl (4000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
4000
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
25 V
Series
HEXFET
Package Type
PQFN 5 x 6
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
2.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.35V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.35V
Maximum Power Dissipation
156 W
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
5mm
Length
6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
83 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1V
Height
0.85mm
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
N-Channel Power MOSFET 12V to 25V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.