N-Channel MOSFET, 2.2 A, 100 V, 3 + Tab-Pin SOT-223 Infineon IRFL4310TRPBF
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.2 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
SOT-223
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3 + Tab
Maximum Drain Source Resistance
200 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
2.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Width
3.7mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
6.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
17 nC @ 10 V
Height
1.8mm
Series
IRFL4310PbF
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,398
1 kpl (2500 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,494
1 kpl (2500 kpl/kela) (Sis ALV:n)
2500
€ 0,398
1 kpl (2500 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,494
1 kpl (2500 kpl/kela) (Sis ALV:n)
2500
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Kela |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | € 0,398 | € 995,00 |
| 5000+ | € 0,377 | € 942,50 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.2 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
SOT-223
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3 + Tab
Maximum Drain Source Resistance
200 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
2.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Width
3.7mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
6.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
17 nC @ 10 V
Height
1.8mm
Series
IRFL4310PbF
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.