Website Outage

Due to essential maintenance the website will be unavailable from 3am to 7am (GMT) Saturday 10th May. We apologise for any inconvenience.

Infineon HEXFET Dual N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 42 A, 55 V, 3-Pin DPAK IRFR1010ZTRPBF

RS tilauskoodi: 220-7490Tuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: IRFR1010ZTRPBF
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

42 A

Maximum Drain Source Voltage

55 V

Series

HEXFET

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.0075 O

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

20V

Number of Elements per Chip

2

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 13,00

€ 1,30 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 16,32

€ 1,632 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Infineon HEXFET Dual N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 42 A, 55 V, 3-Pin DPAK IRFR1010ZTRPBF
Valitse pakkaustyyppi

€ 13,00

€ 1,30 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 16,32

€ 1,632 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Infineon HEXFET Dual N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 42 A, 55 V, 3-Pin DPAK IRFR1010ZTRPBF
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
10 - 90€ 1,30€ 13,00
100 - 240€ 1,20€ 12,00
250 - 490€ 1,15€ 11,50
500 - 990€ 1,10€ 11,00
1000+€ 1,05€ 10,50

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

42 A

Maximum Drain Source Voltage

55 V

Series

HEXFET

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.0075 O

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

20V

Number of Elements per Chip

2

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja