Infineon HEXFET Dual N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 86 A, 30 V, 3-Pin DPAK IRFR3709ZTRLPBF

RS tilauskoodi: 220-7496Tuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: IRFR3709ZTRLPBF
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

86 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Series

HEXFET

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.0065 O

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

20V

Number of Elements per Chip

2

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 11,42

€ 0,571 1 kpl (20 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 14,33

€ 0,717 1 kpl (20 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Infineon HEXFET Dual N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 86 A, 30 V, 3-Pin DPAK IRFR3709ZTRLPBF
Valitse pakkaustyyppi

€ 11,42

€ 0,571 1 kpl (20 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 14,33

€ 0,717 1 kpl (20 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Infineon HEXFET Dual N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 86 A, 30 V, 3-Pin DPAK IRFR3709ZTRLPBF
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
20 - 80€ 0,571€ 11,42
100 - 180€ 0,543€ 10,86
200 - 480€ 0,52€ 10,40
500 - 980€ 0,498€ 9,96
1000+€ 0,463€ 9,26

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

86 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Series

HEXFET

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.0065 O

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

20V

Number of Elements per Chip

2

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja