Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 246 A, 75 V, 3-Pin D2PAK IRFS7730TRLPBF

RS tilauskoodi: 130-1007PTuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: IRFS7730TRLPBF
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

246 A

Maximum Drain Source Voltage

75 V

Series

HEXFET

Package Type

D2PAK (TO-263)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

2.6 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.7V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.1V

Maximum Power Dissipation

375 W

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Number of Elements per Chip

1

Length

10.67mm

Typical Gate Charge @ Vgs

271 nC @ 10 V

Width

9.65mm

Forward Diode Voltage

1.2V

Height

4.83mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

StrongIRFET™ Power MOSFET, Infineon

Infineon's StrongIRFET family is optimized for low RDS(on) and high-current capability. This portfolio offers improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness ideal for industrial low frequency applications including motor drives, power tools, inverters and battery management where performance and robustness are essential.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 32,00

€ 3,20 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 40,16

€ 4,016 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 246 A, 75 V, 3-Pin D2PAK IRFS7730TRLPBF
Valitse pakkaustyyppi

Tuotantopakkaus (Kela)

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 2.

Tuotanto -

Pakkauskoko 2.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

10

Pakkauskoko 2
10€ 32,00
12€ 38,40
14€ 44,80
16€ 51,20
18€ 57,60
20€ 58,00
22€ 63,80
24€ 69,60
26€ 75,40
28€ 81,20
30€ 87,00
32€ 92,80
34€ 98,60
36€ 104,40
38€ 110,20

€ 32,00

€ 3,20 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 40,16

€ 4,016 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 246 A, 75 V, 3-Pin D2PAK IRFS7730TRLPBF
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Tuotantopakkaus (Kela)

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 2.

Tuotanto -

Pakkauskoko 2.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

10

Pakkauskoko 2
10€ 32,00
12€ 38,40
14€ 44,80
16€ 51,20
18€ 57,60
20€ 58,00
22€ 63,80
24€ 69,60
26€ 75,40
28€ 81,20
30€ 87,00
32€ 92,80
34€ 98,60
36€ 104,40
38€ 110,20

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhintaPer Kela
10 - 18€ 3,20€ 6,40
20 - 48€ 2,90€ 5,80
50 - 98€ 2,60€ 5,20
100+€ 2,45€ 4,90

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

246 A

Maximum Drain Source Voltage

75 V

Series

HEXFET

Package Type

D2PAK (TO-263)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

2.6 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.7V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.1V

Maximum Power Dissipation

375 W

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Number of Elements per Chip

1

Length

10.67mm

Typical Gate Charge @ Vgs

271 nC @ 10 V

Width

9.65mm

Forward Diode Voltage

1.2V

Height

4.83mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

StrongIRFET™ Power MOSFET, Infineon

Infineon's StrongIRFET family is optimized for low RDS(on) and high-current capability. This portfolio offers improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness ideal for industrial low frequency applications including motor drives, power tools, inverters and battery management where performance and robustness are essential.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja