P-Channel MOSFET, 13 A, 100 V, 3-Pin IPAK Infineon IRFU5410PBF

RS tilauskoodi: 178-1512Tuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: IRFU5410PBF
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

13 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Package Type

IPAK (TO-251)

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

205 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

66 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

2.39mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Length

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

58 nC @ 10 V

Series

HEXFET

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

6.22mm

Alkuperämaa

Mexico

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,902

1 kpl (75 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 1,118

1 kpl (75 kpl/putki) (Sis ALV:n)

P-Channel MOSFET, 13 A, 100 V, 3-Pin IPAK Infineon IRFU5410PBF

€ 0,902

1 kpl (75 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 1,118

1 kpl (75 kpl/putki) (Sis ALV:n)

P-Channel MOSFET, 13 A, 100 V, 3-Pin IPAK Infineon IRFU5410PBF
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Putki
75 - 75€ 0,902€ 67,65
150 - 300€ 0,856€ 64,20
375+€ 0,771€ 57,82

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

13 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Package Type

IPAK (TO-251)

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

205 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

66 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

2.39mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Length

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

58 nC @ 10 V

Series

HEXFET

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

6.22mm

Alkuperämaa

Mexico

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja