Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 49 A, 55 V, 3-Pin TO-220AB IRFZ44NPBF

RS tilauskoodi: 540-9777Tuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: IRFZ44NPBF
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

49 A

Maximum Drain Source Voltage

55 V

Package Type

TO-220AB

Series

HEXFET

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

17.5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

94 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Length

10.67mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

63 nC @ 10 V

Width

9.02mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Forward Diode Voltage

1.3V

Height

8.77mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon

Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut
N-channel MOSFET,IRFZ44N 41A 55V
Hintaa ei saatavillakpl (ilman ALV)
N-channel MOSFET,IRFZ44N 41A 55V 50pcs
Hintaa ei saatavilla50 kpl:n putki (ilman ALV)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 1,15

€ 1,15 kpl (ilman ALV)

€ 1,44

€ 1,44 kpl (Sis ALV:n)

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 49 A, 55 V, 3-Pin TO-220AB IRFZ44NPBF
Valitse pakkaustyyppi

€ 1,15

€ 1,15 kpl (ilman ALV)

€ 1,44

€ 1,44 kpl (Sis ALV:n)

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 49 A, 55 V, 3-Pin TO-220AB IRFZ44NPBF
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhinta
1 - 24€ 1,15
25 - 49€ 1,10
50 - 99€ 1,10
100 - 249€ 1,00
250+€ 0,95

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut
N-channel MOSFET,IRFZ44N 41A 55V
Hintaa ei saatavillakpl (ilman ALV)
N-channel MOSFET,IRFZ44N 41A 55V 50pcs
Hintaa ei saatavilla50 kpl:n putki (ilman ALV)

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

49 A

Maximum Drain Source Voltage

55 V

Package Type

TO-220AB

Series

HEXFET

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

17.5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

94 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Length

10.67mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

63 nC @ 10 V

Width

9.02mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Forward Diode Voltage

1.3V

Height

8.77mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon

Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut
N-channel MOSFET,IRFZ44N 41A 55V
Hintaa ei saatavillakpl (ilman ALV)
N-channel MOSFET,IRFZ44N 41A 55V 50pcs
Hintaa ei saatavilla50 kpl:n putki (ilman ALV)