Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 5.2 A, 55 V, 3-Pin SOT-223 IRLL2705TRPBF

RS tilauskoodi: 830-3304PTuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: IRLL2705TRPBF
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

5.2 A

Maximum Drain Source Voltage

55 V

Series

HEXFET

Package Type

SOT-223

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

65 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

2.1 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-16 V, +16 V

Width

3.7mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

6.7mm

Typical Gate Charge @ Vgs

32 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

1.739mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.3V

Tuotetiedot

N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon

Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

€ 52,00

€ 0,52 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 65,26

€ 0,653 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 5.2 A, 55 V, 3-Pin SOT-223 IRLL2705TRPBF
Valitse pakkaustyyppi

Tuotantopakkaus (Kela)

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 100.

Tuotanto -

Pakkauskoko 100.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

100

Pakkauskoko 100
100€ 52,00
200€ 97,00
300€ 145,50
400€ 194,00
500€ 226,50
600€ 271,80
700€ 317,10
800€ 362,40
900€ 407,70
1000€ 418,00
1100€ 459,80
1200€ 501,60
1300€ 543,40
1400€ 585,20
1500€ 627,00

€ 52,00

€ 0,52 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 65,26

€ 0,653 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 5.2 A, 55 V, 3-Pin SOT-223 IRLL2705TRPBF

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Valitse pakkaustyyppi

Tuotantopakkaus (Kela)

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 100.

Tuotanto -

Pakkauskoko 100.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

100

Pakkauskoko 100
100€ 52,00
200€ 97,00
300€ 145,50
400€ 194,00
500€ 226,50
600€ 271,80
700€ 317,10
800€ 362,40
900€ 407,70
1000€ 418,00
1100€ 459,80
1200€ 501,60
1300€ 543,40
1400€ 585,20
1500€ 627,00

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

MääräYksikköhintaPer Kela
100 - 180€ 0,52€ 10,40
200 - 480€ 0,485€ 9,70
500 - 980€ 0,453€ 9,06
1000+€ 0,418€ 8,36

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

5.2 A

Maximum Drain Source Voltage

55 V

Series

HEXFET

Package Type

SOT-223

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

65 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

2.1 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-16 V, +16 V

Width

3.7mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

6.7mm

Typical Gate Charge @ Vgs

32 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

1.739mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.3V

Tuotetiedot

N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon

Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja