P-Channel MOSFET, 4.3 A, 12 V, 3-Pin SOT-23 Infineon IRLML6401TRPBF

RS tilauskoodi: 301-316PTuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: IRLML6401TRPBF
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

4.3 A

Maximum Drain Source Voltage

12 V

Series

HEXFET

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

50 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

0.95V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.4V

Maximum Power Dissipation

1.3 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +8 V

Typical Gate Charge @ Vgs

10 nC @ 5 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3.04mm

Width

1.4mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.02mm

Tuotetiedot

P-Channel Power MOSFET 12V to 20V, Infineon

Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,449

kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 0,557

kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

P-Channel MOSFET, 4.3 A, 12 V, 3-Pin SOT-23 Infineon IRLML6401TRPBF
Valitse pakkaustyyppi

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 5.

Tuotanto -

Pakkauskoko 5.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

5

Pakkauskoko 5
5€ 2,24
10€ 4,49
15€ 6,74
20€ 8,98
25€ 11,22
30€ 13,47
35€ 15,72
40€ 17,96
45€ 20,20
50€ 19,15
55€ 21,06
60€ 22,98
65€ 24,90
70€ 26,81
75€ 28,72

€ 0,449

kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 0,557

kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

P-Channel MOSFET, 4.3 A, 12 V, 3-Pin SOT-23 Infineon IRLML6401TRPBF
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 5.

Tuotanto -

Pakkauskoko 5.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

5

Pakkauskoko 5
5€ 2,24
10€ 4,49
15€ 6,74
20€ 8,98
25€ 11,22
30€ 13,47
35€ 15,72
40€ 17,96
45€ 20,20
50€ 19,15
55€ 21,06
60€ 22,98
65€ 24,90
70€ 26,81
75€ 28,72

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Kela
5 - 45€ 0,449€ 2,24
50 - 245€ 0,383€ 1,92
250 - 495€ 0,291€ 1,46
500 - 1245€ 0,248€ 1,24
1250+€ 0,202€ 1,01

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

4.3 A

Maximum Drain Source Voltage

12 V

Series

HEXFET

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

50 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

0.95V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.4V

Maximum Power Dissipation

1.3 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +8 V

Typical Gate Charge @ Vgs

10 nC @ 5 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3.04mm

Width

1.4mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.02mm

Tuotetiedot

P-Channel Power MOSFET 12V to 20V, Infineon

Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja