P-Channel MOSFET, 6.9 A, 20 V, 6-Pin TSOP-6 Infineon IRLTS2242TRPBF

RS tilauskoodi: 830-3401Tuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: IRLTS2242TRPBF
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

6.9 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

TSOP-6

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

55 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.1V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.4V

Maximum Power Dissipation

2 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3mm

Typical Gate Charge @ Vgs

12 nC @ 4.5 V

Width

1.75mm

Transistor Material

Si

Series

HEXFET

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.3mm

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

P-Channel Power MOSFET 12V to 20V, Infineon

Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,358

1 kpl (30 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,444

1 kpl (30 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

P-Channel MOSFET, 6.9 A, 20 V, 6-Pin TSOP-6 Infineon IRLTS2242TRPBF
Valitse pakkaustyyppi

€ 0,358

1 kpl (30 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,444

1 kpl (30 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

P-Channel MOSFET, 6.9 A, 20 V, 6-Pin TSOP-6 Infineon IRLTS2242TRPBF
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
30 - 120€ 0,358€ 10,74
150 - 270€ 0,276€ 8,28
300 - 720€ 0,258€ 7,74
750 - 1470€ 0,239€ 7,17
1500+€ 0,162€ 4,86

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

6.9 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

TSOP-6

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

55 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.1V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.4V

Maximum Power Dissipation

2 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3mm

Typical Gate Charge @ Vgs

12 nC @ 4.5 V

Width

1.75mm

Transistor Material

Si

Series

HEXFET

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.3mm

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

P-Channel Power MOSFET 12V to 20V, Infineon

Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja