P-Channel MOSFET, 9.7 A, 60 V, 3-Pin DPAK Infineon SPD09P06PLGBTMA1

RS tilauskoodi: 826-9074Tuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: SPD09P06PLG
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

9.7 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

SIPMOS®

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

400 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

42 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

14 nC @ 10 V

Width

6.22mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

2.41mm

Tuotetiedot

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs

The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 38,15

€ 0,763 1 kpl (50 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 47,88

€ 0,958 1 kpl (50 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

P-Channel MOSFET, 9.7 A, 60 V, 3-Pin DPAK Infineon SPD09P06PLGBTMA1
Valitse pakkaustyyppi

Standardi

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 50.

Tuotanto -

Pakkauskoko 50.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

50

Pakkauskoko 50
50€ 38,15
100€ 76,30
150€ 114,45
200€ 152,60
250€ 122,25
300€ 146,70
350€ 171,15
400€ 195,60
450€ 220,05
500€ 244,50
550€ 268,95
600€ 293,40
650€ 317,85
700€ 342,30
750€ 366,75

€ 38,15

€ 0,763 1 kpl (50 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 47,88

€ 0,958 1 kpl (50 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

P-Channel MOSFET, 9.7 A, 60 V, 3-Pin DPAK Infineon SPD09P06PLGBTMA1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Standardi

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 50.

Tuotanto -

Pakkauskoko 50.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

50

Pakkauskoko 50
50€ 38,15
100€ 76,30
150€ 114,45
200€ 152,60
250€ 122,25
300€ 146,70
350€ 171,15
400€ 195,60
450€ 220,05
500€ 244,50
550€ 268,95
600€ 293,40
650€ 317,85
700€ 342,30
750€ 366,75

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
50 - 200€ 0,763€ 38,15
250 - 950€ 0,489€ 24,45
1000 - 2450€ 0,389€ 19,45
2500+€ 0,339€ 16,95

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

9.7 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

SIPMOS®

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

400 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

42 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

14 nC @ 10 V

Width

6.22mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

2.41mm

Tuotetiedot

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs

The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja