P-Channel MOSFET, 15 A, 100 V, 3-Pin TO-220 Infineon SPP15P10PHXKSA1
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
15 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Series
SIPMOS®
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
240 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V
Maximum Power Dissipation
128 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
10.36mm
Typical Gate Charge @ Vgs
37 nC @ 10 V
Width
4.57mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.35V
Height
15.95mm
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 15,00
€ 1,50 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 18,82
€ 1,882 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
10
€ 15,00
€ 1,50 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 18,82
€ 1,882 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
10
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 1,50 | € 15,00 |
| 100 - 490 | € 0,849 | € 8,49 |
| 500 - 990 | € 0,828 | € 8,28 |
| 1000 - 2490 | € 0,807 | € 8,07 |
| 2500+ | € 0,788 | € 7,88 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
15 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Series
SIPMOS®
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
240 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V
Maximum Power Dissipation
128 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
10.36mm
Typical Gate Charge @ Vgs
37 nC @ 10 V
Width
4.57mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.35V
Height
15.95mm
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.