International Rectifier IRF7424PbF P-Channel MOSFET, 11 A, 30 V, 8-Pin SO-8 IRF7424TRPBF
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
International RectifierChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SO-8
Series
IRF7424PbF
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
22 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
75 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Width
4mm
Height
1.5mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 60,00
€ 1,20 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 75,30
€ 1,506 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Kela)
50
€ 60,00
€ 1,20 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 75,30
€ 1,506 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Kela)
50
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Kela |
|---|---|---|
| 50 - 90 | € 1,20 | € 12,00 |
| 100 - 240 | € 1,10 | € 11,00 |
| 250 - 490 | € 1,10 | € 11,00 |
| 500+ | € 1,00 | € 10,00 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
International RectifierChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SO-8
Series
IRF7424PbF
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
22 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
75 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Width
4mm
Height
1.5mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.