N-Channel MOSFET Transistor, 14 A, 55 V, 3-Pin TO-220 International Rectifier IRLIZ24N

RS tilauskoodi: 395-8801Tuotemerkki: International RectifierValmistajan osanumero.: IRLIZ24N
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

International Rectifier

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

14 A

Maximum Drain Source Voltage

55 V

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

60 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

26 W

Maximum Gate Source Voltage

-16 V, +16 V

Typical Gate Charge @ Vgs

15 nC @ 5 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

10.75mm

Width

4.83mm

Series

HEXFET

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

9.8mm

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

P.O.A.

N-Channel MOSFET Transistor, 14 A, 55 V, 3-Pin TO-220 International Rectifier IRLIZ24N

1

Pakkauskoko 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

N-Channel MOSFET Transistor, 14 A, 55 V, 3-Pin TO-220 International Rectifier IRLIZ24N
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

1

Pakkauskoko 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

International Rectifier

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

14 A

Maximum Drain Source Voltage

55 V

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

60 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

26 W

Maximum Gate Source Voltage

-16 V, +16 V

Typical Gate Charge @ Vgs

15 nC @ 5 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

10.75mm

Width

4.83mm

Series

HEXFET

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

9.8mm

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja