N-Channel MOSFET, 4.2 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 International Rectifier IRLML2502TRPBF
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
International RectifierChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4.2 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Series
IRLML2502
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
80 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Maximum Power Dissipation
1.25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±12 V
Width
1.4mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
8 nC @ 5 V
Height
1.02mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,131
1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,162
1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
€ 0,131
1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,162
1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Kela |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | € 0,131 | € 393,00 |
| 6000 - 6000 | € 0,124 | € 372,00 |
| 9000+ | € 0,117 | € 351,00 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
International RectifierChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4.2 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Series
IRLML2502
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
80 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Maximum Power Dissipation
1.25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±12 V
Width
1.4mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
8 nC @ 5 V
Height
1.02mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.