N-Channel MOSFET, 3.5 A, 850 V, 2 + Tab-Pin D2PAK IXYS IXFA4N85X

RS tilauskoodi: 146-4407Tuotemerkki: IXYSValmistajan osanumero.: IXFA4N85X
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

IXYS

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

3.5 A

Maximum Drain Source Voltage

850 V

Package Type

D2PAK (TO-263)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

2 + Tab

Maximum Drain Source Resistance

2.5 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3.5V

Maximum Power Dissipation

150 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±30 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Width

10.92mm

Length

10.41mm

Typical Gate Charge @ Vgs

7 @ 10 V nC

Series

HiperFET

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.4V

Height

4.7mm

PRICED TO CLEAR

Yes

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,572

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,709

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 3.5 A, 850 V, 2 + Tab-Pin D2PAK IXYS IXFA4N85X

5

Pakkauskoko 5
5€ 2,86
10€ 5,72
15€ 8,58
20€ 11,44
25€ 14,30
30€ 17,16
35€ 20,02
40€ 22,88
45€ 25,74
50€ 28,60
55€ 31,46
60€ 34,32
65€ 37,18
70€ 40,04
75€ 42,90

€ 0,572

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,709

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 3.5 A, 850 V, 2 + Tab-Pin D2PAK IXYS IXFA4N85X
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

5

Pakkauskoko 5
5€ 2,86
10€ 5,72
15€ 8,58
20€ 11,44
25€ 14,30
30€ 17,16
35€ 20,02
40€ 22,88
45€ 25,74
50€ 28,60
55€ 31,46
60€ 34,32
65€ 37,18
70€ 40,04
75€ 42,90

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

IXYS

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

3.5 A

Maximum Drain Source Voltage

850 V

Package Type

D2PAK (TO-263)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

2 + Tab

Maximum Drain Source Resistance

2.5 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3.5V

Maximum Power Dissipation

150 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±30 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Width

10.92mm

Length

10.41mm

Typical Gate Charge @ Vgs

7 @ 10 V nC

Series

HiperFET

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.4V

Height

4.7mm

PRICED TO CLEAR

Yes

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja