N-Channel MOSFET, 150 A, 650 V, 3-Pin PLUS264 IXYS IXFB150N65X2
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
150 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Package Type
PLUS264
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
17 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.5V
Maximum Power Dissipation
1.56 kW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Width
5.31mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
20.26mm
Typical Gate Charge @ Vgs
355 nC @ 10 V nC
Height
26.59mm
Series
HiperFET
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.4V
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 38,50
kpl (ilman ALV)
€ 47,74
kpl (Sis ALV:n)
1
€ 38,50
kpl (ilman ALV)
€ 47,74
kpl (Sis ALV:n)
1
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta |
|---|---|
| 1 - 4 | € 38,50 |
| 5 - 9 | € 30,80 |
| 10 - 24 | € 30,00 |
| 25+ | € 29,30 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
150 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Package Type
PLUS264
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
17 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.5V
Maximum Power Dissipation
1.56 kW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Width
5.31mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
20.26mm
Typical Gate Charge @ Vgs
355 nC @ 10 V nC
Height
26.59mm
Series
HiperFET
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.4V
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.