N-Channel MOSFET, 90 A, 850 V, 3-Pin PLUS264 IXYS IXFB90N85X
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
90 A
Maximum Drain Source Voltage
850 V
Series
HiperFET
Package Type
PLUS264
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
41 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.5V
Maximum Power Dissipation
1.79 kW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Width
5.31mm
Number of Elements per Chip
1
Length
20.29mm
Typical Gate Charge @ Vgs
340 @ 10 V nC
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
26.59mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.4V
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 41,90
kpl (ilman ALV)
€ 51,96
kpl (Sis ALV:n)
1
€ 41,90
kpl (ilman ALV)
€ 51,96
kpl (Sis ALV:n)
1
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta |
|---|---|
| 1 - 4 | € 41,90 |
| 5 - 9 | € 39,80 |
| 10+ | € 38,70 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
90 A
Maximum Drain Source Voltage
850 V
Series
HiperFET
Package Type
PLUS264
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
41 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.5V
Maximum Power Dissipation
1.79 kW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Width
5.31mm
Number of Elements per Chip
1
Length
20.29mm
Typical Gate Charge @ Vgs
340 @ 10 V nC
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
26.59mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.4V
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.