N-Channel MOSFET, 34 A, 500 V, 3-Pin TO-247 IXYS IXFH34N50P3
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
34 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Series
HiperFET, Polar3
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
175 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Maximum Power Dissipation
695 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Width
5.3mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
16.26mm
Typical Gate Charge @ Vgs
60 nC @ 10 V
Height
21.46mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Alkuperämaa
United States
Tuotetiedot
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series
A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 8,40
1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 10,416
1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)
30
€ 8,40
1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 10,416
1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)
30
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
34 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Series
HiperFET, Polar3
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
175 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Maximum Power Dissipation
695 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Width
5.3mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
16.26mm
Typical Gate Charge @ Vgs
60 nC @ 10 V
Height
21.46mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Alkuperämaa
United States
Tuotetiedot
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series
A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.