IXYS HiperFET, Q-Class N-Channel MOSFET, 27 A, 800 V, 3-Pin TO-264AA IXFK27N80Q
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
27 A
Maximum Drain Source Voltage
800 V
Series
HiperFET, Q-Class
Package Type
TO-264AA
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
320 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Maximum Power Dissipation
500 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
5.13mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
19.96mm
Typical Gate Charge @ Vgs
170 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
26.16mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Q Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 785,00
€ 31,40 1 kpl (25 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 985,18
€ 39,407 1 kpl (25 kpl/putki) (Sis ALV:n)
25
€ 785,00
€ 31,40 1 kpl (25 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 985,18
€ 39,407 1 kpl (25 kpl/putki) (Sis ALV:n)
25
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
27 A
Maximum Drain Source Voltage
800 V
Series
HiperFET, Q-Class
Package Type
TO-264AA
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
320 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Maximum Power Dissipation
500 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
5.13mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
19.96mm
Typical Gate Charge @ Vgs
170 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
26.16mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Q Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.