N-Channel MOSFET, 40 A, 600 V, 4-Pin SOT-227 IXYS IXFN48N60P

RS tilauskoodi: 194-473Tuotemerkki: IXYSValmistajan osanumero.: IXFN48N60P
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

IXYS

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

40 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Package Type

SOT-227

Series

HiperFET, Polar

Mounting Type

Screw Mount

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

140 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5.5V

Maximum Power Dissipation

625 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Typical Gate Charge @ Vgs

150 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

38.23mm

Width

25.42mm

Transistor Material

Si

Height

9.6mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 31,60

kpl (ilman ALV)

€ 39,18

kpl (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 40 A, 600 V, 4-Pin SOT-227 IXYS IXFN48N60P
Valitse pakkaustyyppi

€ 31,60

kpl (ilman ALV)

€ 39,18

kpl (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 40 A, 600 V, 4-Pin SOT-227 IXYS IXFN48N60P
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhinta
1 - 4€ 31,60
5+€ 25,90

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

IXYS

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

40 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Package Type

SOT-227

Series

HiperFET, Polar

Mounting Type

Screw Mount

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

140 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5.5V

Maximum Power Dissipation

625 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Typical Gate Charge @ Vgs

150 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

38.23mm

Width

25.42mm

Transistor Material

Si

Height

9.6mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja