N-Channel MOSFET, 72 A, 600 V, 4-Pin SOT-227 IXYS IXFN82N60P

RS tilauskoodi: 194-130Tuotemerkki: IXYSValmistajan osanumero.: IXFN82N60P
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

IXYS

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

72 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Package Type

SOT-227

Series

HiperFET, Polar

Mounting Type

Screw Mount

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

75 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Maximum Power Dissipation

1.04 kW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

38.2mm

Width

25.07mm

Transistor Material

Si

Typical Gate Charge @ Vgs

240 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

9.6mm

Tuotetiedot

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 42,20

kpl (ilman ALV)

€ 52,33

kpl (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 72 A, 600 V, 4-Pin SOT-227 IXYS IXFN82N60P

1

Pakkauskoko 1
1€ 42,20
2€ 81,80
3€ 122,70
4€ 163,60
5€ 200,50
6€ 240,60
7€ 280,70
8€ 320,80
9€ 360,90
10€ 401,00
11€ 441,10
12€ 481,20
13€ 521,30
14€ 561,40
15€ 601,50

€ 42,20

kpl (ilman ALV)

€ 52,33

kpl (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 72 A, 600 V, 4-Pin SOT-227 IXYS IXFN82N60P
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

1

Pakkauskoko 1
1€ 42,20
2€ 81,80
3€ 122,70
4€ 163,60
5€ 200,50
6€ 240,60
7€ 280,70
8€ 320,80
9€ 360,90
10€ 401,00
11€ 441,10
12€ 481,20
13€ 521,30
14€ 561,40
15€ 601,50

Osta irtotavarana

MääräYksikköhinta
1 - 1€ 42,20
2 - 4€ 40,90
5+€ 40,10

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

IXYS

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

72 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Package Type

SOT-227

Series

HiperFET, Polar

Mounting Type

Screw Mount

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

75 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Maximum Power Dissipation

1.04 kW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

38.2mm

Width

25.07mm

Transistor Material

Si

Typical Gate Charge @ Vgs

240 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

9.6mm

Tuotetiedot

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja