IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 25 A, 800 V, 3-Pin ISOPLUS247 IXFR44N80P

RS tilauskoodi: 194-344Tuotemerkki: IXYSValmistajan osanumero.: IXFR44N80PDistrelec Article No.: 30253397
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

IXYS

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

25 A

Maximum Drain Source Voltage

800 V

Series

HiperFET, Polar

Package Type

ISOPLUS247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

200 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Maximum Power Dissipation

300 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Typical Gate Charge @ Vgs

200 nC @ 10 V

Width

5.21mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

16.13mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

21.34mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 27,50

€ 27,50 kpl (ilman ALV)

€ 34,51

€ 34,51 kpl (Sis ALV:n)

IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 25 A, 800 V, 3-Pin ISOPLUS247 IXFR44N80P
Valitse pakkaustyyppi

Standardi

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 1.

Tuotanto -

Pakkauskoko 1.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

1

Pakkauskoko 1
1€ 27,50
2€ 55,00
3€ 82,50
4€ 110,00
5€ 137,50
6€ 165,00
7€ 192,50
8€ 220,00
9€ 247,50
10€ 275,00
11€ 302,50
12€ 330,00
13€ 357,50
14€ 385,00
15€ 412,50

€ 27,50

€ 27,50 kpl (ilman ALV)

€ 34,51

€ 34,51 kpl (Sis ALV:n)

IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 25 A, 800 V, 3-Pin ISOPLUS247 IXFR44N80P
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Standardi

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 1.

Tuotanto -

Pakkauskoko 1.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

1

Pakkauskoko 1
1€ 27,50
2€ 55,00
3€ 82,50
4€ 110,00
5€ 137,50
6€ 165,00
7€ 192,50
8€ 220,00
9€ 247,50
10€ 275,00
11€ 302,50
12€ 330,00
13€ 357,50
14€ 385,00
15€ 412,50

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

IXYS

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

25 A

Maximum Drain Source Voltage

800 V

Series

HiperFET, Polar

Package Type

ISOPLUS247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

200 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Maximum Power Dissipation

300 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Typical Gate Charge @ Vgs

200 nC @ 10 V

Width

5.21mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

16.13mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

21.34mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja