IXYS HiperFET, Polar3 N-Channel MOSFET, 80 A, 600 V, 3-Pin PLUS247 IXFX80N60P3
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
80 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Series
HiperFET, Polar3
Package Type
PLUS247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
70 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Maximum Power Dissipation
1.3 kW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Width
5.21mm
Length
16.13mm
Typical Gate Charge @ Vgs
190 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
21.34mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Alkuperämaa
United States
Tuotetiedot
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series
A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 498,00
€ 16,60 1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 624,99
€ 20,833 1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)
30
€ 498,00
€ 16,60 1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 624,99
€ 20,833 1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)
30
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
80 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Series
HiperFET, Polar3
Package Type
PLUS247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
70 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Maximum Power Dissipation
1.3 kW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Width
5.21mm
Length
16.13mm
Typical Gate Charge @ Vgs
190 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
21.34mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Alkuperämaa
United States
Tuotetiedot
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series
A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.