IXYS IXYN30N170CV1 Dual Emitter IGBT Module, 80 A 1700 V, 4-Pin SOT-227B, Surface Mount

RS tilauskoodi: 146-4402Tuotemerkki: IXYSValmistajan osanumero.: IXYN30N170CV1
brand-logo
Näytä kaikki IGBTs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

IXYS

Maximum Continuous Collector Current

80 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1700 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

680 W

Number of Transistors

1

Package Type

SOT-227B

Configuration

Dual Emitter

Mounting Type

Surface Mount

Channel Type

N

Pin Count

4

Transistor Configuration

Single

Dimensions

38.23 x 25.42 x 9.6mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 45,70

kpl (ilman ALV)

€ 56,67

kpl (Sis ALV:n)

IXYS IXYN30N170CV1 Dual Emitter IGBT Module, 80 A 1700 V, 4-Pin SOT-227B, Surface Mount

€ 45,70

kpl (ilman ALV)

€ 56,67

kpl (Sis ALV:n)

IXYS IXYN30N170CV1 Dual Emitter IGBT Module, 80 A 1700 V, 4-Pin SOT-227B, Surface Mount
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Osta irtotavarana

MääräYksikköhinta
1 - 1€ 45,70
2 - 4€ 44,80
5+€ 43,40

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

IXYS

Maximum Continuous Collector Current

80 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1700 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

680 W

Number of Transistors

1

Package Type

SOT-227B

Configuration

Dual Emitter

Mounting Type

Surface Mount

Channel Type

N

Pin Count

4

Transistor Configuration

Single

Dimensions

38.23 x 25.42 x 9.6mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja