IXYS MII100-12A3 Series IGBT Module, 135 A 1200 V, 7-Pin Y4 M5, Panel Mount
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
IXYSMaximum Continuous Collector Current
135 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Package Type
Y4 M5
Configuration
Series
Mounting Type
Panel Mount
Channel Type
N
Pin Count
7
Transistor Configuration
Series
Dimensions
94 x 34 x 30mm
Minimum Operating Temperature
-40 °C
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Tuotetiedot
IGBT Modules, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 81,00
1 kpl (6 kpl/laatikko) (ilman ALV)
€ 101,655
1 kpl (6 kpl/laatikko) (Sis ALV:n)
6
€ 81,00
1 kpl (6 kpl/laatikko) (ilman ALV)
€ 101,655
1 kpl (6 kpl/laatikko) (Sis ALV:n)
6
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
IXYSMaximum Continuous Collector Current
135 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Package Type
Y4 M5
Configuration
Series
Mounting Type
Panel Mount
Channel Type
N
Pin Count
7
Transistor Configuration
Series
Dimensions
94 x 34 x 30mm
Minimum Operating Temperature
-40 °C
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Tuotetiedot
IGBT Modules, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.