N-Channel MOSFET, 3.4 A, 400 V, 3-Pin DPAK MagnaChip MDD5N40RH

RS tilauskoodi: 871-6652Tuotemerkki: MagnaChipValmistajan osanumero.: MDD5N40RH
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

MagnaChip

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

3.4 A

Maximum Drain Source Voltage

400 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

1.6 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Maximum Power Dissipation

45 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

9 nC @ 10 V

Width

6.22mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.4V

PRICED TO CLEAR

Yes

Height

2.39mm

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

High Voltage (HV) MOSFET

High Voltage, N-Channel MOSFET, with low on-state resistance and high switching performance.

MOSFET Transistors, MagnaChip

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,113

1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 0,14

1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 3.4 A, 400 V, 3-Pin DPAK MagnaChip MDD5N40RH

€ 0,113

1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 0,14

1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 3.4 A, 400 V, 3-Pin DPAK MagnaChip MDD5N40RH
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

MagnaChip

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

3.4 A

Maximum Drain Source Voltage

400 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

1.6 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Maximum Power Dissipation

45 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

9 nC @ 10 V

Width

6.22mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.4V

PRICED TO CLEAR

Yes

Height

2.39mm

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

High Voltage (HV) MOSFET

High Voltage, N-Channel MOSFET, with low on-state resistance and high switching performance.

MOSFET Transistors, MagnaChip

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja