N-Channel MOSFET, 11 A, 660 V, 3-Pin TO-220F MagnaChip MDF11N60BTH

RS tilauskoodi: 871-4915Tuotemerkki: MagnaChipValmistajan osanumero.: MDF11N60BTH
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

MagnaChip

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

11 A

Maximum Drain Source Voltage

660 V

Package Type

TO-220F

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

550 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Maximum Power Dissipation

49 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Width

4.93mm

Transistor Material

Si

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

10.71mm

Typical Gate Charge @ Vgs

38.4 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Height

16.13mm

Forward Diode Voltage

1.4V

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

High Voltage (HV) MOSFET

High Voltage, N-Channel MOSFET, with low on-state resistance and high switching performance.

MOSFET Transistors, MagnaChip

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 1,05

1 kpl (10 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 1,302

1 kpl (10 kpl/putki) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 11 A, 660 V, 3-Pin TO-220F MagnaChip MDF11N60BTH
Valitse pakkaustyyppi

€ 1,05

1 kpl (10 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 1,302

1 kpl (10 kpl/putki) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 11 A, 660 V, 3-Pin TO-220F MagnaChip MDF11N60BTH
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Putki
10 - 40€ 1,05€ 10,50
50 - 90€ 0,951€ 9,51
100 - 240€ 0,894€ 8,94
250 - 490€ 0,823€ 8,23
500+€ 0,758€ 7,58

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

MagnaChip

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

11 A

Maximum Drain Source Voltage

660 V

Package Type

TO-220F

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

550 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Maximum Power Dissipation

49 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Width

4.93mm

Transistor Material

Si

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

10.71mm

Typical Gate Charge @ Vgs

38.4 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Height

16.13mm

Forward Diode Voltage

1.4V

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

High Voltage (HV) MOSFET

High Voltage, N-Channel MOSFET, with low on-state resistance and high switching performance.

MOSFET Transistors, MagnaChip

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja