Dual N-Channel MOSFET, 7.5 A, 30 V, 8-Pin SOIC MagnaChip MDS5652URH

RS tilauskoodi: 871-4990Tuotemerkki: MagnaChipValmistajan osanumero.: MDS5652URH
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

MagnaChip

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

7.5 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

SOIC

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

35 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

2 W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

2

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

11.7 nC @ 10 V

Width

4mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

0.75V

Height

1.5mm

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

Low Voltage (LV) MOSFET

These low voltage (LV) MOSFET provide low on-state resistance and fast switching performance.

MOSFET Transistors, MagnaChip

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,251

1 kpl (25 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 0,311

1 kpl (25 kpl/kela) (Sis ALV:n)

Dual N-Channel MOSFET, 7.5 A, 30 V, 8-Pin SOIC MagnaChip MDS5652URH
Valitse pakkaustyyppi

€ 0,251

1 kpl (25 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 0,311

1 kpl (25 kpl/kela) (Sis ALV:n)

Dual N-Channel MOSFET, 7.5 A, 30 V, 8-Pin SOIC MagnaChip MDS5652URH
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Kela
25 - 225€ 0,251€ 6,28
250 - 475€ 0,21€ 5,25
500+€ 0,186€ 4,65

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

MagnaChip

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

7.5 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

SOIC

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

35 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

2 W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

2

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

11.7 nC @ 10 V

Width

4mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

0.75V

Height

1.5mm

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

Low Voltage (LV) MOSFET

These low voltage (LV) MOSFET provide low on-state resistance and fast switching performance.

MOSFET Transistors, MagnaChip

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja