N-Channel MOSFET, 20 A, 650 V, 3-Pin TO-220F MagnaChip MMF65R190PTH
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
MagnaChipChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Package Type
TO-220F
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
190 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
34 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.71mm
Typical Gate Charge @ Vgs
53 nC @ 10 V
Width
4.93mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.4V
Height
16.13mm
Tuotetiedot
Super Junction (SJ) MOSFET
These MOSFET use MagnaChip's Super Junction technology to provide low on-resistance and gate charge. They are highly efficient through the use of optimised charge coupling technology.
MOSFET Transistors, MagnaChip
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 2,60
1 kpl (5 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 3,224
1 kpl (5 kpl/putki) (Sis ALV:n)
5
€ 2,60
1 kpl (5 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 3,224
1 kpl (5 kpl/putki) (Sis ALV:n)
5
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
MagnaChipChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Package Type
TO-220F
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
190 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
34 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.71mm
Typical Gate Charge @ Vgs
53 nC @ 10 V
Width
4.93mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.4V
Height
16.13mm
Tuotetiedot
Super Junction (SJ) MOSFET
These MOSFET use MagnaChip's Super Junction technology to provide low on-resistance and gate charge. They are highly efficient through the use of optimised charge coupling technology.
MOSFET Transistors, MagnaChip
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.