N-Channel MOSFET, 200 mA, 60 V, 3-Pin TO-92 Microchip 2N7000-G

RS tilauskoodi: 177-9760Tuotemerkki: MicrochipValmistajan osanumero.: 2N7000-G
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Microchip

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

200 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

TO-92

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

5.3 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.8V

Maximum Power Dissipation

1 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

30 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5.08mm

Width

4.06mm

Series

2N7000

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

0.85V

Height

5.33mm

Alkuperämaa

Taiwan, Province Of China

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,425

1 kpl (25 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,527

1 kpl (25 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 200 mA, 60 V, 3-Pin TO-92 Microchip 2N7000-G
Valitse pakkaustyyppi

€ 0,425

1 kpl (25 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,527

1 kpl (25 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 200 mA, 60 V, 3-Pin TO-92 Microchip 2N7000-G
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
25 - 75€ 0,425€ 10,62
100+€ 0,39€ 9,75

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Microchip

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

200 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

TO-92

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

5.3 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.8V

Maximum Power Dissipation

1 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

30 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5.08mm

Width

4.06mm

Series

2N7000

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

0.85V

Height

5.33mm

Alkuperämaa

Taiwan, Province Of China